Мой регион: Россия

IRFR5410TRPBF

Ном. номер: 8178006471
PartNumber: IRFR5410TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFR5410TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFR5410TRPBF
150 руб.
1239 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 117 руб.
от 100 шт. — 86 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
58 руб. 3 дня, 8 шт. 4 шт. 4 шт.
110 руб. 2-3 недели, 8960 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 74 руб.
от 500 шт. — 63 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
66 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
205 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
760 pF @ -25 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.