IRFR7740

IRFR7740
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
29 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
570 руб.
от 2 шт.460 руб.
от 5 шт.392 руб.
от 10 шт.364.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.
Номенклатурный номер: 8001945610
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 87A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:87A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:StrongIRFET HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand Infineon/IR
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 2000
Fall Time 30 ns
Forward Transconductance - Min 110 S
Height 2.3 mm
Id - Continuous Drain Current 87 A
Length 6.5 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Cut Tape
Part # Aliases SP001552218
Pd - Power Dissipation 140 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 84 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 7.2 mOhms
Rise Time 36 ns
RoHS Details
Technology Si
Tradename StrongIRFET
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 55 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Unit Weight 0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 75 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.7 V
Width 6.22 mm
Вес, г 0.63

Техническая документация

irfr7740pbf
pdf, 576 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.