IRFRC20TRLPBF, MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 360 000 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 600V 2.0 Amp
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IRFR/U |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4400 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 100 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 25 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V |
Typical Rise Time (ns) | 23 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1113 КБ
Datasheet IRFRC20TRLPBF
pdf, 1140 КБ