IRFS3206
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
от 2 шт. —
570 руб.
от 10 шт. —
512 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0024ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 83 ns |
| Forward Transconductance - Min | 210 S |
| Height | 4.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 210 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | SP001573508 |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 120 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4 mOhms |
| Rise Time | 82 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Width | 9.25 mm |
| Вес, г | 2.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 329 КБ
IRFS3206PBF Datasheet
pdf, 442 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
