IRFS3207
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 210 руб.
от 2 шт. —
1 080 руб.
от 5 шт. —
985 руб.
от 8 шт. —
945 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 210 руб.
Номенклатурный номер: 8002002511
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFS3207TRLPBF)
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 170A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 50V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.395 |
Техническая документация
Datasheet IRFB3207PBF
pdf, 385 КБ
IRFS3207PBF Datasheet
pdf, 378 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.