IRFS3207

IRFS3207
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 210 руб.
от 2 шт.1 080 руб.
от 5 шт.985 руб.
от 8 шт.945 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 210 руб.
Номенклатурный номер: 8002002511
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFS3207TRLPBF)

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 170A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 50V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 75A, 10V
Series HEXFETВ®
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 2.395

Техническая документация

Datasheet IRFB3207PBF
pdf, 385 КБ
IRFS3207PBF Datasheet
pdf, 378 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.