IRFS3607
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
440 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
от 3 шт. —
292 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Номенклатурный номер: 8002011973
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.00734ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 80A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFB3607PBF
pdf, 326 КБ
Datasheet IRFS3607PBF
pdf, 436 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
