Мой регион: Россия

IRFS4010TRLPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 1

PartNumber: IRFS4010TRLPBF
Ном. номер: 8000002243
Производитель: Infineon Technologies
IRFS4010TRLPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 руб.
256 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 280 руб.
от 100 шт. — 209 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
271 руб. 3-4 недели, 300 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 235 руб.
от 25 шт. — 234 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
189S
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
100 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
4,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
143 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
9575 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.