IRFS4115TRL7PP, Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
Мин. кол-во для заказа 54 шт.
Добавить в корзину 54 шт.
на сумму 32 400 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quint Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 105 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 11.8 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 150 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 380000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 7 |
PPAP | No |
Process Technology | HEXFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 23 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 73 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 73 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5320 50V |
Typical Rise Time (ns) | 50 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 37 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
Id - непрерывный ток утечки | 99 A |
Pd - рассеивание мощности | 380 W |
Qg - заряд затвора | 73 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.3 mOhms |
RoHS | В процессе перемещения |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 50 ns |
Время спада | 23 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 37 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка / блок | TO-263-7 |
Ширина | 6.22 mm |
Drain Source On State Resistance | 0.01Ом |
Power Dissipation | 380Вт |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
Непрерывный Ток Стока | 105А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 380Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.01Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRFS4115TRL7PP
pdf, 302 КБ
Datasheet IRFS4115TRL7PP
pdf, 315 КБ
IRFS4115-7PPBF Datasheet
pdf, 302 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов