IRFS4115TRL7PP, Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Фото 1/3 IRFS4115TRL7PP, Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 руб.
Мин. кол-во для заказа 54 шт.
Добавить в корзину 54 шт. на сумму 32 400 руб.
Номенклатурный номер: 8002245334
Артикул: IRFS4115TRL7PP

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quint Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 105
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 11.8 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 150
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 380000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 7
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 23
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 73
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 73 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 5320 50V
Typical Rise Time (ns) 50
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 37
Typical Turn-On Delay Time (ns) 18
Id - непрерывный ток утечки 99 A
Pd - рассеивание мощности 380 W
Qg - заряд затвора 73 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10.3 mOhms
RoHS В процессе перемещения
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 50 ns
Время спада 23 ns
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 37 ns
Типичное время задержки при включении 18 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок TO-263-7
Ширина 6.22 mm
Drain Source On State Resistance 0.01Ом
Power Dissipation 380Вт
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 150В
Непрерывный Ток Стока 105А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 380Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.01Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IRFS4115TRL7PP
pdf, 302 КБ
Datasheet IRFS4115TRL7PP
pdf, 315 КБ
IRFS4115-7PPBF Datasheet
pdf, 302 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов