IRFS4229
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
1 090 руб.
от 2 шт. —
970 руб.
от 5 шт. —
880 руб.
от 10 шт. —
838.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Номенклатурный номер: 8001973092
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 45A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4560pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 26A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | DВІPAK(TO-263AB) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 319 КБ
Datasheet IRFS4229PBF
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
