IRFS4321TRL7PP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 150 В, 86 А, 0.0117 Ом, TO-263CB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
700 руб.
от 100 шт. —
604 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH 150V 86A D2PAK
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0117Ом |
| Power Dissipation | 350Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 86А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 350Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0117Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263CB |
| Id - непрерывный ток утечки | 86 A |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Qg - заряд затвора | 71 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 60 ns |
| Время спада | 35 ns |
| Высота | 4.4 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 130 S |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-263-7 |
| Ширина | 9.25 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 86 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.7 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Pin Count | 7 |
| Series | HEXFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 0.248 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
