Мой регион: Россия

IRFS4510TRLPBF, MOSFET HEXFET N-CH 100V 61A D2PAK

Ном. номер: 8000002249
PartNumber: IRFS4510TRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFS4510TRLPBF, MOSFET HEXFET N-CH 100V 61A D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
7190 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 150 руб.
от 100 шт. — 119 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
63.40 руб. 3-4 недели, 800 шт. 800 шт. 800 шт.
164 руб. 3-4 недели, 800 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 141 руб.
от 25 шт. — 140 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
61 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
100с
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
28 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
13,9 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3180 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.