IRFS4610
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
от 2 шт. —
820 руб.
от 3 шт. —
769 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 73A, 175DEG C, 190W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:190W; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | HEXFET |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 73 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 14@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 190000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 90 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 90@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3550@50V |
| Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
IRFS4610PBF Datasheet
pdf, 399 КБ
Документация
pdf, 450 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
