IRFS4620
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 5 шт. —
310 руб.
от 10 шт. —
284.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-263AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:24A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.0637ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:5V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 14.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 37 S |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 24 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 144 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 25 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 77.5 mOhms |
| Rise Time | 22.4 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 1.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 368 КБ
IRFS4620PBF Datasheet
pdf, 359 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
