Мой регион: Россия

IRFS4620TRLPBF

Ном. номер: 8183339755
PartNumber: IRFS4620TRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFS4620TRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
614 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 161 руб.
от 100 шт. — 125 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
86 руб. 2-3 недели, 360 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
144 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
11.3мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
37S
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 11.3 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13.4 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
25,4 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
77,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1710 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.