Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFS52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [D2PAK]

Артикул: IRFS52N15DPBF
Ном. номер: 9000095394
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFS52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [D2PAK]
Фото 2/4 IRFS52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [D2PAK]Фото 3/4 IRFS52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [D2PAK]Фото 4/4 IRFS52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [D2PAK]
Есть в наличии более 20 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 рабочих дня.
180 × = 180
от 20 шт. — 78 руб.
от 200 шт. — 64.80 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon (IR) Unitronic® LiYY Cable
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
32
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRFS52N15DPBF Datasheet
pdf, 325 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFS52N15DPBF
IRFS52N15DPBF Transistor, Power MOSFET Data Sheet IRFS52N15DPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов