Мой регион: Россия

IRFS7437TRLPBF, MOSFET N-Channel 40V 250A

PartNumber: IRFS7437TRLPBF
Ном. номер: 8000005687
Производитель: International Rectifier
IRFS7437TRLPBF, MOSFET N-Channel 40V 250A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
780 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 20 шт. — 140 руб.
от 50 шт. — 122 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
164 руб. 3-4 недели, 800 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 142 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
250 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
160S
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
78 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
150 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
7330 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.