IRFS7540TRLPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 192 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 110А, 160Вт, D2PAK
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 76 ns |
| Время спада | 56 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | SP001571690 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 110 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | D2-Pak |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
