IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]

Артикул: IRFTS8342TRPBF
Ном. номер: 9000139700
Производитель: International Rectifier
Фото 1/6 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]
Фото 2/6 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]Фото 3/6 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]Фото 4/6 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]Фото 5/6 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]Фото 6/6 IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]
Есть в наличии 96 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
23 руб. × = 23 руб.
от 50 шт. — 18 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
29
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.35

Техническая документация

irfts8342pbf
pdf, 214 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFTS8342TRPBF
IRFTS8342TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRFTS8342TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов