IRFU220N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
123 руб.
от 75 шт. —
101.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5А, 43Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1575 |
| Fall Time | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2.6 S |
| Height | 6.22 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 43 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| Rise Time | 11 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.4 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 2.38 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Высота | 6.22 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Другие названия товара № | SP001567710 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.4 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Ширина | 2.38 mm |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 43W |
| Вес, г | 0.719 |
Техническая документация
Datasheet IRFU220NPBF
pdf, 230 КБ
Datasheet IRFU220NPBF
pdf, 226 КБ
IRFR220NPBF Datasheet
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
