IRFU5410PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 13A 66Вт 0,205Ом TO251AA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

от 10 шт. — 120 руб.

от 30 шт. — 92 руб.

от 75 шт. — 78.02 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.

Номенклатурный номер: 8017539019

Артикул: IRFU5410PBF

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	13A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	66W
Rds On - Drain-Source Resistance	205mО© @ 7.8A,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.205Ом
Power Dissipation	66Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	HEXFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	13А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	66Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.205Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-251AA
Вес, г	1.06