IRFU5410PBF, HEXFET P-Ch MOSFET 13A 100V IPAK

Фото 2/2 IRFU5410PBF, HEXFET P-Ch MOSFET 13A 100V IPAK
Фото 1/2 IRFU5410PBF, HEXFET P-Ch MOSFET 13A 100V IPAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
67 руб.
Кратность заказа 75 шт.
Добавить в корзину 75 шт. на сумму 5 025 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8003729801
Артикул: IRFU5410PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Brand Infineon
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 13 A
Тип корпуса IPAK (TO-251AA)
Максимальное рассеяние мощности 66 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 2.39мм
Высота 6.22мм
Размеры 6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 45 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 205 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 58 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 760 pF @ -25 V
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Transistor Mounting Through Hole
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET Series
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 13А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 66Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.205Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-251AA
Base Product Number IRFU5410 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max) 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet IRFU5410PBF
Datasheet IRFU5410PBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах