IRFZ40PBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 35 А, 0.028 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
560 руб.
от 100 шт. —
461 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 680 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The IRFZ40PBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.028Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.028Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 28@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 40 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 40@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2350@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 788 КБ
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Datasheet
pdf, 771 КБ
Datasheet IRFZ40PBF
pdf, 1622 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
