Мой регион: Россия

IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]

Ном. номер: 28820
Артикул: IRG4BC20UDPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]Фото 3/5 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]Фото 4/5 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]Фото 5/5 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]
160 руб.
426 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 150 руб.
от 150 шт. — 145 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 327 шт. 1 шт. 34 шт.
от 50 шт. — 130 руб.
152 руб. 4-6 недель, 516 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 148 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRG4BC20UDPBF Datasheet
pdf, 371 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.