IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]

Артикул: IRG4BC20UDPBF
Ном. номер: 28820
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]
Фото 2/2 IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]
Есть в наличии 403 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
180 руб. × = 180 руб.
от 25 шт. — 170 руб.
от 50 шт. — 100 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4BC20UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.1
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4BC20UDPBF Datasheet
pdf, 371 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC20UDPBF
IRG4BC20UDPBF Data Sheet