IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak]

Артикул: IRG4BC20UD-SPBF
Ном. номер: 9020004870
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak]
Фото 2/2 IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
70 руб. × = 70 руб.
от 5 шт. — 46 руб.
от 50 шт. — 44 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Co-Pack IGBT up to 20A, International Rectifier
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.85
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

IRG4BC20UD-S datasheet
pdf, 240 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC20UD-SPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов