IRG4BC30FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 руб.
от 3 шт. —
1 120 руб.
от 5 шт. —
1 050 руб.
от 10 шт. —
991 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Category | Discrete Semiconductor Products | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 31A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 124A | |
Family | IGBTs-Single | |
Gate Charge | 51nC | |
IGBT Type | - | |
Input Type | Standard | |
Mounting Type | Through Hole | |
Other Names | *IRG4BC30FDPBF | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Power - Max | 100W | |
Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
Reverse Recovery Time (trr) | 42ns | |
Series | - | |
Standard Package | 50 | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Switching Energy | 630µJ(on), 1.39mJ(off) | |
Td (on/off) @ 25°C | 42ns/230ns | |
Test Condition | 480V, 17A, 23 Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRG4BC30FD Datasheet
pdf, 417 КБ
Документация
pdf, 395 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов