IRG4BC30FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт

Фото 1/3 IRG4BC30FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 200 руб.
от 3 шт.1 120 руб.
от 5 шт.1 050 руб.
от 10 шт.991 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 200 руб.
Номенклатурный номер: 8095101298
Артикул: IRG4BC30FDPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Current - Collector Pulsed (Icm) 124A
Family IGBTs-Single
Gate Charge 51nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Other Names *IRG4BC30FDPBF
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Power - Max 100W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
Series -
Standard Package 50
Supplier Device Package TO-220AB
Switching Energy 630µJ(on), 1.39mJ(off)
Td (on/off) @ 25°C 42ns/230ns
Test Condition 480V, 17A, 23 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRG4BC30FD Datasheet
pdf, 417 КБ
Документация
pdf, 395 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов