IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO220AB

Артикул: IRG4BC30KDPBF
Ном. номер: 200306311
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO220AB
Фото 2/3 IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO220ABФото 3/3 IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO220AB
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
97 руб. × = 97 руб.
от 25 шт. — 90 руб.
от 250 шт. — 89.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

• Combines low conduction losses with high switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.4
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
выдерживает 10мкс кз
Корпус

Техническая документация

IRG4BC30KD Datasheet
pdf, 199 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC30KDPBF
Datasheet IRG4BC30KDPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов