IRG4BC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт

Фото 1/3 IRG4BC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 350 руб.
от 3 шт.1 260 руб.
от 5 шт.1 190 руб.
от 9 шт.1 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 350 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8689552032
Артикул: IRG4BC30UDPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 23A
Current - Collector Pulsed (Icm) 92A
Gate Charge 50nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Last Time Buy
Power - Max 100W
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
Series -
Supplier Device Package TO-220AB
Switching Energy 380ВµJ(on), 160ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 40ns/91ns
Test Condition 480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRG4BC30UD Datasheet
pdf, 239 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов