Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4IBC20WPBF, БТИЗ транзистор, 11.8 А, 2.16 В, 34 Вт, 600 В, TO-220FP, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IRG4IBC20WPBF
Ном. номер: 8059778207
Производитель: Infineon Technologies
IRG4IBC20WPBF, БТИЗ транзистор, 11.8 А, 2.16 В, 34 Вт, 600 В, TO-220FP, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 130 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
130 × = 130
от 25 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 92 руб.

Описание

The IRG4IBC20WPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor designed expressly for switch-mode power supply and PFC (power factor correction) applications. The latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability. It features lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode). Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300kHz).

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% Reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FP
Рассеиваемая Мощность
34Вт
DC Ток Коллектора
11.8А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.16В

Дополнительная информация

Datasheet IRG4IBC20WPBF