Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А TO247AC

Артикул: IRG4PC40WPBF
Ном. номер: 4107
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А TO247AC
Фото 2/4 IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А TO247ACФото 3/4 IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А TO247ACФото 4/4 IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А TO247AC
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
110 × = 110
от 25 шт. — 99 руб.
от 250 шт. — 97 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4PC40WPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor designed expressly for switch-mode power supply and PFC (power factor correction) applications. The latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability. It features lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode). Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300kHz).

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% Reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4PC40WPBF Datasheet
pdf, 615 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PC40WPBF
Datasheet IRG4PC40WPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов