IRG4PC50UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 740 руб.
от 2 шт. —
2 580 руб.
от 3 шт. —
2 480 руб.
от 5 шт. —
2 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 740 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AC | |
Brand | Infineon Technologies | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C | 55 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 27 A | |
Factory Pack Quantity | 25 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | |
Height | 20.7 mm(Max) | |
Length | 15.87 mm(Max) | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 200 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Unit Weight | 1.340411 oz | |
Width | 5.31 mm(Max) | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IRG4PC50U Datasheet
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов