IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]
![Фото 1/2 IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/206/DOC001206179.jpg)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![Фото 2/2 IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/504/DOC003504553.jpg)
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
500 руб.
от 15 шт. —
465 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 279
Артикул: IRG4PC50WPBF
Страна происхождения: МЕКСИКА
Бренд / Производитель: International Rectifier
Описание
Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.
Технические параметры
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 55 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 220 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 46 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 120 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247ac |
Структура | n-канал |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Крутизна характеристики, S | 41 |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IGBT транзисторы
pdf, 18 КБ
IRG4PC50WPBF Datasheet
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают