Мой регион: Россия

IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]

Ном. номер: 184124611
Артикул: IRG4PF50WDPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
Фото 2/5 IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]Фото 3/5 IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]Фото 4/5 IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]Фото 5/5 IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
500 руб.
704 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 494 руб.
от 150 шт. — 491 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
460 руб. 1-2 недели, 400 шт. 1 шт. 10 шт.
от 20 шт. — 433 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
7.5

Техническая документация

IRG4PF50WD Datasheet
pdf, 258 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PF50WDPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.