IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
от 3 шт. —
590 руб.
от 6 шт. —
581 руб.
от 11 шт. —
561 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AC | |
Монтаж | THT | |
Мощность | 200Вт | |
Напряжение коллектор-эмиттер | 1200В | |
Производитель | Infineon(IRF) | |
Тип транзистора | IGBT | |
Ток коллектора | 57А | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IRG4PH50SPBF Datasheet
pdf, 227 КБ
Документация
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов