IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт

Фото 1/3 IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
690 руб.
от 3 шт.590 руб.
от 6 шт.581 руб.
от 11 шт.561 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 690 руб.
Номенклатурный номер: 8752821204
Артикул: IRG4PH50SPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247AC
Монтаж THT
Мощность 200Вт
Напряжение коллектор-эмиттер 1200В
Производитель Infineon(IRF)
Тип транзистора IGBT
Ток коллектора 57А
Вес, г 7.5

Техническая документация

IRG4PH50SPBF Datasheet
pdf, 227 КБ
Документация
pdf, 225 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов