Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]

Артикул: IRG4PSC71UDPBF
Ном. номер: 692805487
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]
Фото 2/3 IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]Фото 3/3 IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
510 × = 510
от 5 шт. — 480 руб.
от 50 шт. — 475 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.

• Creepage distance increased to 5.35mm
• High efficiency
• Maximum power density
• Optimized for specific application conditions
• HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.95
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4PSC71UD Datasheet
pdf, 253 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PSC71UDPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов