IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247

Фото 2/4 IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247Фото 3/4 IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247Фото 4/4 IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247
Фото 1/4 IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247
9 шт. со склада г.Москва, срок 3 рабочих дня
870 руб.
от 2 шт.850 руб.
от 8 шт.813 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 870 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 90226202
Артикул: IRG4PSH71UDPBF
Производитель: International Rectifier

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технические параметры

Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 99
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 350
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 250
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус super-247
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 6
Вес, г 8.5

Техническая документация

IRG4PSH71UDPBF Datasheet
pdf, 239 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах