IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247
9 шт. со склада г.Москва, срок 3 рабочих дня
870 руб.
от 2 шт. —
850 руб.
от 8 шт. —
813 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Описание
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технические параметры
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 99 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 350 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 46 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 250 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | super-247 |
| Структура | n-канал+диод |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
IRG4PSH71UDPBF Datasheet
pdf, 239 КБ
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
