IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]

Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Ном. номер: 9000113592
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]
Фото 2/3 IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]Фото 3/3 IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]
Есть в наличии 3 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1-2 недели.
370 руб. × = 370 руб.
от 3 шт. — 340 руб.
от 30 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG7PH42UD1PBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultra-low VF diode for induction heating and soft switching applications. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• Ultra-low VF diode
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• Low EMI
• 1300Vpk Repetitive transient capacity

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.7
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG7PH42UD1PBF datasheet
pdf, 424 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG7PH42UD1PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео