IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 220А TO247AA

Артикул: IRG7PSH73K10PBF
Ном. номер: 9000102389
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 220А TO247AA
Фото 2/3 IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 220А TO247AAФото 3/3 IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 220А TO247AA
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
850 руб. × = 850 руб.
от 3 шт. — 830 руб.
от 30 шт. — 820 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG7PSH73K10PBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• 10µs Short-circuit SOA

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2
Управляющее напряжение,В
7.5
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…175
Корпус

Техническая документация

IRG7PSH73K10PBF datasheet
pdf, 368 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG7PSH73K10PBF
Datasheet IRG7PSH73K10PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов