IRG8P40N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 40А [TO-247]
![IRG8P40N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 40А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/376/DOC001376791.jpg)
Цена и сроки поставки по запросу
250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Технические параметры
Технология/семейство | gen8 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 75 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 305 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 245 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
Корпус | to-247ac |
Структура | n-канал+диод |
Управляющее напряжение,В | 6.5 |
Крутизна характеристики, S | 15 |
Дополнительные опции | с ультрабыстрым диодом |
Техническая документация
irg8p40n120kdpbf
pdf, 542 КБ
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов