Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]

Артикул: IRGB14C40LPBF
Ном. номер: 973453164
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]
Фото 2/4 IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]Фото 3/4 IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]Фото 4/4 IRGB14C40LPBF, IGBT 430В 20А зажиг [TO-220]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1-2 рабочих дня.
Возможна срочная доставка сегодня
130 × = 130
от 3 шт. — 99 руб.
от 30 шт. — 96 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Automotive Ignition IGBT, International Rectifier
The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.

IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor), International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT die designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) die can be employed to eliminate bond wires allowing dual sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.4
Управляющее напряжение,В
1.8
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
выдерживает 120 мкс кз
Корпус

Техническая документация

IRGB14C40L Datasheet
pdf, 155 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGB14C40LPBF
Datasheet IRGB14C40LPBF
IRGS14C40LPbF / IRGSL14C40LPbF / IRGB14C40LPbF Ignition IGBT IRGB14C40LPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов