IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц

Фото 2/2 IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц
Фото 1/2 IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц
487 шт. со склада г.Москва, срок 7 рабочих дней
480 руб.
от 10 шт.310 руб.
от 20 шт.289 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 75329386
Артикул: IRGP35B60PDPBF
Производитель: International Rectifier

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 308
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 110
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247ac
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 5
Крутизна характеристики, S 36
Вес, г 8.5

Техническая документация

IRGP35B60PD
pdf, 287 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах