IRGP4066DPBF, БТИЗ транзистор, 75 А, 1.7 В, 454 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 340 руб.
от 5 шт. —
3 030 руб.
от 10 шт. —
2 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 340 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
The IRGP4066DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation. It is suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses.
• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• 5µs Short-circuit SOA
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 75А |
| Power Dissipation | 454Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Вес, г | 7.458 |
Техническая документация
Datasheet irgp4066d
pdf, 316 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
