IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)

Фото 2/5 IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)Фото 3/5 IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)Фото 4/5 IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)Фото 5/5 IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
Фото 1/5 IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
210 шт. со склада г.Москва
1 300 руб.
от 3 шт.1 230 руб.
от 30 шт.1 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 300 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 530747398
Артикул: IRGPS60B120KDP
Производитель: International Rectifier

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 72
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 366
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус super-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5
Крутизна характеристики, S 34.4
Вес, г 8

Техническая документация

IRGPS60B120KDP Datasheet
pdf, 135 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGPS60B120KDP
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах