IRL1404ZSPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [D2-PAK]

Артикул: IRL1404ZSPBF
Ном. номер: 9000102773
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRL1404ZSPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [D2-PAK]
Фото 2/5 IRL1404ZSPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [D2-PAK]Фото 3/5 IRL1404ZSPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [D2-PAK]Фото 4/5 IRL1404ZSPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [D2-PAK]Фото 5/5 IRL1404ZSPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [D2-PAK]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
100 руб. × = 100 руб.
от 5 шт. — 89 руб.
от 250 шт. — 59.14 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET over 100A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
быстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе
2.7

Техническая документация

IRL1404ZPBF Datasheet
pdf, 380 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL1404ZSPBF
MOSFET N-ch HEXFET 40V 75A IRL1404ZSPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов