IRL3705ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 86А [TO-220AB]

Фото 1/3 IRL3705ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 86А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
от 15 шт.165 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 9000102770
Артикул: IRL3705ZPBF

Описание

The IRL3705ZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Logic level
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 86
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 Ом/52А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 130
Крутизна характеристики, S 45
Корпус TO-220AB
Особенности быстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе 3
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet IRL3705ZPBF
pdf, 386 КБ
Datasheet IRL3705ZPBF
pdf, 798 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов