IRL3705ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 86А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 15 шт. —
165 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
The IRL3705ZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Logic level
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 Ом/52А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 | |
Крутизна характеристики, S | 45 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | быстродействующий ключ | |
Пороговое напряжение на затворе | 3 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRL3705ZPBF
pdf, 386 КБ
Datasheet IRL3705ZPBF
pdf, 798 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают