IRL3713S

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

150 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

970 руб.

от 2 шт. — 840 руб.

от 5 шт. — 757 руб.

от 10 шт. — 717.50 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 970 руб.

Номенклатурный номер: 8002026692

Бренд: Нет торговой марки

Электроэлемент

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 30V, 0.003OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	260A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5890pF @ 15V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	330W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 38A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250ВµA
Вес, г	2.5