Мой регион: Россия

IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]

Ном. номер: 41153
Артикул: IRL3803PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]
Фото 2/6 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]Фото 3/6 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]Фото 4/6 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]Фото 5/6 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]Фото 6/6 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]
Ожидается поступление на склад г.Москва: 9 апреля 2020 г. — 100 шт.
110 руб.
810 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 107 руб.
от 150 шт. — 106 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRL3803PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRL3803 Datasheet
pdf, 139 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL3803PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.