IRL40B209

IRL40B209
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
990 руб.
от 2 шт.860 руб.
от 5 шт.775 руб.
от 10 шт.735 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 990 руб.
Номенклатурный номер: 8001946744
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Power Dissipation Pd:375W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 414
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 1.25@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 40
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 2.4
Maximum Power Dissipation - (mW) 375000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 180@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 15140@25V
Вес, г 2.903

Техническая документация

Datasheet IRL40B209
pdf, 545 КБ
irl40b209
pdf, 540 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.