IRL40B209
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
990 руб.
от 2 шт. —
860 руб.
от 5 шт. —
775 руб.
от 10 шт. —
735 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Номенклатурный номер: 8001946744
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Power Dissipation Pd:375W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 414 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1.25@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.4 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 375000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220AB |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 180@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 15140@25V |
Вес, г | 2.903 |
Техническая документация
Datasheet IRL40B209
pdf, 545 КБ
irl40b209
pdf, 540 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.