IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK]
![Фото 1/4 IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRL520NSTRLPBF
pdf, 401 КБ
Datasheet irl520nspbf
pdf, 401 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
