IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт. —
132 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.044 Ом/18А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Крутизна характеристики, S | 12 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRL540NPBF
pdf, 1055 КБ
Datasheet IRL540NPBF
pdf, 1046 КБ
Datasheet IRL540
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают