IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]

Ном. номер: 387859736
Артикул: IRL540NPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]
Фото 2/6 IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]Фото 3/6 IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]Фото 4/6 IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]Фото 5/6 IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]Фото 6/6 IRL540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А, [TO-220AB]
52 руб.
2448 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 49 руб.
от 150 шт. — 46 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 52 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRL540NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Advanced process technology

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRL540 datasheet
pdf, 166 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL540NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов