Мой регион: Россия

IRL60SL216, STRONGIR FET 60V 298A 1.95 MOHM, TO262

Ном. номер: 8000001303
PartNumber: IRL60SL216
Производитель: Infineon Technologies
IRL60SL216, STRONGIR FET 60V 298A 1.95 MOHM, TO262
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
768 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
269 руб. 3-4 недели, 1000 шт. 50 шт. 50 шт.
от 100 шт. — 267 руб.
от 200 шт. — 259 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
StrongIRFET™ Logic-Level Power MOSFET, Infineon
An extension to the Infineon StrongIRFET family optimised for +5V logic-level gate drive. They share the same characteristics as the existing StrongIRFET family, such as low R<sub>DS</sub>(on) for greater efficiency, and high current carrying capacity for improved ruggedness and operational reliability.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
298 А
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
229S
Высота
11.3мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 11.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
70 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
190 нс
Серия
StrongIRFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.2 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
15330 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.